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“钼”成300层+NAND必选项 机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

一 |     　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。

二 |     本报讯记者陈晶涛报道 7月31日，区委书记徐显帅等走访慰问军分区官兵，为他们送去节日的问候与祝福。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。徐显帅代表区委区政府感谢军分区长期以来对南票经济建设和社会发展给与的帮助和支持，表示一定做好双拥工作，加强军地协作，有利推动南票振兴发展。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。         　　军分区领导对南票给予部队建设的支持表示感谢，并且表示在今后工作中将继续支持南票的发展，军民同心，为地方经济建设发展贡献力量。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。         　　7月31日，区长李彪等分组走访慰问了市消防局指战员和金星镇三属李荣厚，感谢市消防局一直以来对于南票的经济和社会发展的支持。在李荣厚家中，李彪与其详细交谈，询问了家庭情况和身体状况，感谢他们全家对党和政府工作的支持。“八一”前夕，区人大主任闵希伟等走访慰问了区人武部官兵和边防海岛军人家属张文强，为他们送去节日的问候和祝福。

三 |          　　在区人武部，闵希伟认真了解人武部军事训练、后勤保障、征兵工作等开展情况，及官兵们工作、生活、训练情况，感谢他们为地方平安建设发挥的积极作用，希望他们在今后的工作中继续发扬政治坚定、敢打必胜的拼搏精神，为地方安全稳定和经济发展保驾护航。         　　在沙锅屯乡王西沟村边防海岛军人家属张文强家中，闵希伟与家属亲切交谈，详细了解他们的身体状况以及儿子在部队的服役情况，并叮嘱随行人员要尽力帮助他们解决日常生活、工作中遇到的实际困难，同时也希望他们一如既往地支持孩子在部队专心服役，支持国防事业，为家乡争荣，为国争光。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。“八一”前夕，区政协主席李红玉等走访慰问了区消防救援大队和烈士家属李桂兰，为他们送去节日的问候和祝福。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。         　　在区消防救援大队，李红玉一行参观了消防车库，听取了新型消防车辆的具体使用情况，并在之后召开的座谈会上，认真了解了区消防救援大队的设备使用情况、日常训练工作和存在的困难等情况，感谢他们为南票区平安建设发挥的积极作用，希望他们在今后的工作中继续发扬敢打敢拼的精神，为地方安全稳定和经济发展保驾护航。         　　在九龙街道烈士家属李桂兰家中，李红玉与李桂兰亲切交谈，详细了解李桂兰的身体状况和生活状态，希望李桂兰能够安心生活，享受生活，并叮嘱随行人员要尽力帮助李桂兰解决日常生活中遇到的实际困难，让老人安心享受晚年生活。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。（文章来源：科创板日报）。

四 |

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Published on:07:10:38